| 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法; 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 |
| 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法,其包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层;步骤3:在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层,以硅烷作为n型掺杂剂;步骤4:在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层;步骤5:采用刻蚀的方法,在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中,使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面;步骤6:在n型接触层的台面上制作负电极;在p型接触层的上面制作正电极,完成氮化镓系发光二极管的制作。 |
部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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专利号 | CN102185052A
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN201110115383.3
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23515
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专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
马平,王军喜,王国宏,等. 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法, 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法. CN102185052A.
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