| 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法; 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 | |
| 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法,其包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层；步骤3：在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层,以硅烷作为n型掺杂剂；步骤4：在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层；步骤5：采用刻蚀的方法,在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中,使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面；步骤6：在n型接触层的台面上制作负电极；在p型接触层的上面制作正电极,完成氮化镓系发光二极管的制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN102185052A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110115383.3 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23515 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 马平,王军喜,王国宏,等. 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法, 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法. CN102185052A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法.（352KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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