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调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法; 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法
马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法,其包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层;步骤3:在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层,以硅烷作为n型掺杂剂;步骤4:在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层;步骤5:采用刻蚀的方法,在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中,使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面;步骤6:在n型接触层的台面上制作负电极;在p型接触层的上面制作正电极,完成氮化镓系发光二极管的制作。
部门归属中科院半导体照明研发中心
专利号CN102185052A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110115383.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23515
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
马平,王军喜,王国宏,等. 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法, 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法. CN102185052A.
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调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法.(352KB) 限制开放使用许可请求全文
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