| 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法; 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 | |
郑怀文; 张逸韵; 吴奎; 杨华 ; 李璟
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种利用自组装薄膜作为掩膜刻蚀导电薄膜的方法,包括以下步骤：步骤1：取一蓝宝石衬底,在该蓝宝石衬底上生长氮化物外延层；步骤2：在氮化物外延层上生长导电薄膜；步骤3：在导电薄膜上采用自组装的方法生长一层光子晶体薄膜,形成掩膜；步骤4：进行退火处理；步骤5：采用刻蚀的方法对掩膜下的导电薄膜进行刻蚀,形成粗化的导电薄膜表面；步骤6：清洗去掉剩余的光子晶体薄膜,完成制备。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN102244159A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110177081.9 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23507 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郑怀文,张逸韵,吴奎,等. 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法, 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法. CN102244159A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法.pdf（327KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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