| 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法; 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法 | |
| 汪明; 杨涛 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法,包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长一缓冲层、一下波导层、一双量子阱结构、一上波导层和一盖层,完成在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的制作。其是通过在较低温度下生长合适的InAs量子阱厚度,起到了在大应变条件下减小缺陷,增加跃迁波长到2.3μm的作用。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN102208756A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110100538.6 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23486 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 汪明,杨涛. 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法, 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法. CN102208756A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 在磷化铟衬底上生长砷化铟_铟镓砷量子阱材（275KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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