| 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法; 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法 |
| 张灿; 梁松; 朱洪亮; 马丽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法,包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模,涂光刻胶,光刻,两条介质掩模形成介质掩膜图形,两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的衬底1上外延制作多量子阱有源区；步骤4：在多量子阱有源区的表层制作均匀光栅；步骤5：腐蚀去掉介质掩膜,在均匀光栅上生长包层和电接触层；步骤6：在电接触层上涂光刻胶,光刻；步骤7：采用湿法腐蚀,在电接触层上制作出脊波导结构；步骤8：在脊波导结构的顶端制作正面电极；步骤9：将衬底减薄后在衬底的底部制作背面电极,完成制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN102377109A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110356474.6
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23474
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张灿,梁松,朱洪亮,等. 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法, 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法. CN102377109A.
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