| 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法; 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法 | |
| 张灿; 梁松; 朱洪亮; 马丽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法,包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模,涂光刻胶,光刻,两条介质掩模形成介质掩膜图形,两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的衬底1上外延制作多量子阱有源区；步骤4：在多量子阱有源区的表层制作均匀光栅；步骤5：腐蚀去掉介质掩膜,在均匀光栅上生长包层和电接触层；步骤6：在电接触层上涂光刻胶,光刻；步骤7：采用湿法腐蚀,在电接触层上制作出脊波导结构；步骤8：在脊波导结构的顶端制作正面电极；步骤9：将衬底减薄后在衬底的底部制作背面电极,完成制作。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN102377109A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110356474.6 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23474 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张灿,梁松,朱洪亮,等. 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法, 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法. CN102377109A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方（353KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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