| FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器; FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器 | |
| 郑婉华; 周文君; 陈微; 刘安金; 王海玲 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了本发明公开了一种FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器,该激光器具有深刻蚀孔的光子晶体结构,该光子晶体结构具有带边面发射性质,且位于FP脊形条上,FP脊形条宽度较宽,FP腔长度较长,P电极完全位于脊形条上,根据光子晶体的对称性,可以扩展FP腔的结构。利用本发明,能够实现低成本的电注入光子晶体带边面发射激光器,且本结构可以用于集成光路中特征信号的读出器,通过对FP腔结构的扩展,可以实现多通道耦合增强。 |
| metadata_83 | 纳米光电子实验室 |
| Patent Number | CN102201648A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110093303.9 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23454 |
| Collection | 纳米光电子实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郑婉华,周文君,陈微,等. FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器, FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器. CN102201648A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光（1428KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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