SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池的方法; 提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池的方法
韩培德; 邢宇鹏; 范玉杰; 梁鹏
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 本发明公开了一种提高太阳能电池效率的方法,该方法是采用脉冲激光对太阳能电池掺杂区域进行辐照,使掺杂区域中的杂质形成过饱和替位掺杂、且被激活,减少间隙掺杂数量,从而改善半导体结质量,减少载流子复合,达到提高短路电流和开路电压、最终实现提高太阳能电池效率之目的。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110218925.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23423
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
韩培德,邢宇鹏,范玉杰,等. 提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池的方法, 提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池的方法.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池(489KB) 限制开放使用许可请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[韩培德]的文章
[邢宇鹏]的文章
[范玉杰]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[韩培德]的文章
[邢宇鹏]的文章
[范玉杰]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[韩培德]的文章
[邢宇鹏]的文章
[范玉杰]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。