| 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法; 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法 | |
| 杨怀伟; 李彬; 韩勤 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法,包括：在N型InP衬底上依次生长InP缓冲层、InGaAs吸收层、InGaAsP渐变层、N型InP电荷层和InP帽层；在InP帽层上生长SiO2保护层；在SiO2保护层的中间光刻出圆形窗口；通过湿法腐蚀,在圆形窗口中腐蚀InP帽层,形成圆坑；在圆形窗口周围的SiO2保护层上套刻出保护环的窗口；通过扩散工艺在保护环的窗口内；用HF溶液去除剩余的SiO2保护层；在InP帽层上重新生长SiO2层,并在圆坑的周围套刻出电极窗口；通过电子束蒸发、剥离工艺,在电极窗口上形成顶部环状电极；在环状电极上的周围及一侧制备金属电极；通过电子束蒸发,在N型InP衬底的背面形成背部电极；在圆坑内InP帽层的表面,制备SiNx增透膜,完成雪崩二极管探测器的制作。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110391274.4 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23417 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨怀伟,李彬,韩勤. 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法, 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器（498KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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