| 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法; 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法 | |
| 李辛毅; 韩培德; 毛雪; 胡少旭; 王帅; 范玉杰 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,该方法包括：在硅衬底表层蒸镀钛薄膜；以及采用超快激光辐照蒸镀有钛薄膜的硅材料表层。本发明提供的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,采用超快激光辐照镀有钛薄层的硅衬底的方法,实现了在硅材料中超过Mott相变的钛元素掺杂,进而制备出了硅基中间带材料,解决了钛元素在硅材料中高浓度非平衡掺杂困难的问题。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110391156.3 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23414 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李辛毅,韩培德,毛雪,等. 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法, 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法. |
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| 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方（307KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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