| 一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法; 一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法 |
| 李辛毅; 韩培德; 毛雪; 胡少旭; 王帅; 范玉杰
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法,该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括：在硅衬底上热氧化得到的氧化硅薄层,沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层；具有热隔离作用的热绝缘层；高红外辐射吸收的黑硅材料层；以及其表面钝层；其中,高塞贝克系数金属层采用铝、金或钛,作为该非制冷热电偶红外探测器的冷端,热绝缘层包括具有热绝缘特性的氧化硅和氮化硅或将氧化硅作为牺牲层得到空腔,且氮化硅形成于氧化硅之上,高红外辐射吸收的黑硅材料层作为该非制冷热电偶红外探测器的热端,表面钝化层采用氮化硅层。本发明能够消除红外辐射对掩埋在热隔绝层下的冷端金属的影响,进一步提高探测器的灵敏度。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110384233.2
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23412
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李辛毅,韩培德,毛雪,等. 一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法, 一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法.
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