| 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法; 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 | |
| 张雨溦; 张杨; 曾一平 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-08-29 ; 2012-08-29 ; 2012-08-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管,包括：一衬底；一复合缓冲层,生长在衬底上；一插入层,生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层,生长在插入层上；一子沟道层,生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层,生长在子沟道层上；一InAs沟道层,生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层,生长在InAs沟道层上；一掺杂层,生长在锑化物隔离层上,该掺杂层是Si平面掺杂的InAs,或者是Te的δ掺杂；一上势垒层,生长在掺杂层上,该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层；一InAs帽层,生长在上势垒层上,该InAs帽层是非有意掺杂的InAs,或者是n型掺杂的InAs。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心 |
| 申请日期 | 2011-09-22 |
| 专利号 | CN102324436A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110283050.1 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23312 |
| 专题 | 半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张雨溦,张杨,曾一平. 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法, 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法. CN102324436A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及（473KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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