| InAs/GaSb II型超晶格红外探测材料的MOCVD生长特性研究 | |
| 李立功 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 王占国 ; 刘舒曼 |
| 2012 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子学与固体电子学 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Date Available | 2012-06-27 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23228 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李立功. InAs/GaSb II型超晶格红外探测材料的MOCVD生长特性研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2012. |
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