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闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法
何春九; 曾华林; 何军; 周燕
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法,该闪耀光栅外腔半导体激光器,包括:一激光器;一准直系统,该准直系统的输入端与激光器的输出端连接;一闪耀光栅,该闪耀光栅接收准直系统发出的均匀平行光,经闪耀光栅的反射,形成1级衍射光和0级光,将1级衍射光沿入射光路反馈至准直系统,将0级光输出。
部门归属光电系统实验室
专利号CN200910092877.7
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910092877.7
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22539
专题光电系统实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
何春九,曾华林,何军,等. 闪耀光栅外腔半导体激光器及其准直方法. CN200910092877.7.
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