SEMI OpenIR  > 纳米光电子实验室
光子晶体可调谐边发射激光器及其制作方法
郑婉华; 邢名欣; 陈微; 周文君; 刘安金
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种光子晶体可调谐边发射激光器及其制作方法,该方法包括:在半导体材料上制作一二维半导体光子晶体波导;利用低群速度的导波模式使得光波在光子晶体波导内形成共振;调整光子晶体波导最近邻空气孔半径的大小,从而使得导波能带带边的频率位置发生变化;光子晶体的低群速度导波模式的共振频率发生变化;泵浦光子晶体波导不同的位置,不同波长的增益得到增强,获得边发射光子晶体激光的可调谐输出。该光子晶体可调谐边发射激光器包括:一二维薄板结构的光子晶体边发射可调谐激光器;和一用于泵浦所述激光器的泵浦源。本发明提供的光子晶体可调谐边发射激光器易于集成,并且可以作为未来微纳尺寸集成光路的光源,且实施简便,成本低。
metadata_83纳米光电子实验室
Patent NumberCN200910244533.3
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910244533.3
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22439
Collection纳米光电子实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
郑婉华,邢名欣,陈微,等. 光子晶体可调谐边发射激光器及其制作方法. CN200910244533.3.
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