| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 | |
| 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)以绝缘体上硅作为衬底；(b)在衬底上沿<110>晶向方向进行划片，作为曝光时的参考方向；(c)将衬底进行热氧化，生成二氧化硅掩膜层；(d)采用电子束曝光，生成平面图形；(e)采用各向同性腐蚀液对二氧化硅掩膜层进行腐蚀；(f)再采用各向异性湿法腐蚀，在二氧化硅掩膜层下的硅层上获得依赖晶面的三维限制硅纳米结构。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN200810224109.8 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200810224109.8 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22415 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨香,韩伟华,王颖,等. 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法. CN200810224109.8. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200810224109.8.pdf（396KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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