依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 | |
杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)以绝缘体上硅作为衬底;(b)在衬底上沿<110>晶向方向进行划片,作为曝光时的参考方向;(c)将衬底进行热氧化,生成二氧化硅掩膜层;(d)采用电子束曝光,生成平面图形;(e)采用各向同性腐蚀液对二氧化硅掩膜层进行腐蚀;(f)再采用各向异性湿法腐蚀,在二氧化硅掩膜层下的硅层上获得依赖晶面的三维限制硅纳米结构。 |
metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
Patent Number | CN200810224109.8 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200810224109.8 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22415 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 杨香,韩伟华,王颖,等. 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法. CN200810224109.8. |
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