高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 | |
李越强; 刘雯![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种高迁移率量子点场效应晶体管,包括:一衬底;一第一应力缓冲层制作在衬底上;一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上;一掺杂层制作在第二应力缓冲层上;一间隔层制作在掺杂层上;一沟道层制作在间隔层上;一下势垒层制作在沟道层上;一量子点层制作在下势垒层上;一上势垒层制作在量子点层上,该上势垒层上面的中间有一凹形台面,该凹形台面的一侧为源区,另一侧为漏区;两帽层,该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上;一第一电极制作在一帽层的上面;一第二电极制作在另一帽层的上面;一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。 |
metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
Patent Number | CN200910091632.2 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200910091632.2 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22383 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李越强,刘雯,王晓东,等. 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法. CN200910091632.2. |
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