| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 | |
李越强; 刘雯 ; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华
| |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面；一第三电极制作在上势垒层上面的凹形台面上。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN200910091632.2 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910091632.2 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22383 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李越强,刘雯,王晓东,等. 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法. CN200910091632.2. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910091632.2.pdf（456KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment