| 纳流体测试器件的制备方法 | |
张加勇; 王晓峰; 王晓东; 杨富华; 马慧莉 ; 程凯芳
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种纳流体测试器件的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的抗腐蚀的金属层；在电热绝缘材料层及金属层上制备一层制作纳流体通道的抗腐蚀绝缘材料层；抛光表面，去除金属层上面的抗腐蚀绝缘材料层；再用湿法腐蚀方法去除剩余的侧墙材料层形成纳流体通道；最后淀积一层绝缘材料将纳流体通道封顶，再在通道两端开孔并在通道两侧的金属上引出电极即可形成纳流体测试器件。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN201010034281.4 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010034281.4 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22375 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张加勇,王晓峰,王晓东,等. 纳流体测试器件的制备方法. CN201010034281.4. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010034281.4.pdf（592KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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