| 垂直相变存储器的制备方法 | |
张加勇; 王晓峰; 马慧莉 ; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
| |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种垂直相变存储器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长第一金属层作为底部电极；步骤2：在第一金属层上淀积第一绝缘材料层；步骤3：采用微纳加工技术将该第一绝缘材料层制作成纳米尺寸的绝缘柱体；步骤4：在第一金属层上和绝缘柱体的表面淀积第二金属层作为加热电极；步骤5：在第二金属层上淀积第二绝缘材料层；步骤6：用化学机械抛光的方法抛光表面，同时切断绝缘柱体顶部的第二金属层的连接，形成环形的加热电极；步骤7：最后淀积相变材料和顶部电极，引出电极即可形成垂直相变存储器。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN201010113827.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010113827.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22373 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张加勇,王晓峰,马慧莉,等. 垂直相变存储器的制备方法. CN201010113827.5. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010113827.5.pdf（402KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment