| 垂直相变存储器及制备方法 | |
张加勇; 王晓峰; 马慧莉 ; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种垂直相变存储器，包括：一衬底；一底部电极，该底部电极制作在衬底上；一下电热绝缘材料层，该下电热绝缘材料层制作在底部电极上；一低热导率材料包裹层，该低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上；一上电热绝缘材料层，该上电热绝缘材料层制作在低热导率材料包裹层上；其中所述的下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层的中间有一小孔；一相变材料插塞柱，该相变材料插塞柱位于下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层中间的小孔内；一顶部电极，该顶部电极制作在上电热绝缘材料层上，并覆盖相变材料插塞柱。 |
| metadata_83 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Patent Number | CN201010256816.2 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010256816.2 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22353 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张加勇,王晓峰,马慧莉,等. 垂直相变存储器及制备方法. CN201010256816.2. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010256816.2.pdf（440KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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