| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 | |
胡强; 段瑞飞 ; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法，包含以下步骤：步骤1：首先在衬底上生长一层ZnO膜；步骤2：在ZnO膜上生长低温缓冲层，形成样品；步骤3：在氢化物气相外延系统中，在低温缓冲层的上面高温生长GaN厚膜；步骤4：在氢化物气相外延系统中高温生长后，因氢化物气相外延系统中的HCl和NH3等腐蚀性气体，将ZnO膜2腐蚀，使GaN厚膜直接从衬底上脱离下来形成大尺寸的GaN自支撑衬底。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Patent Number | CN200910235336.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910235336.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22327 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 胡强,段瑞飞,魏同波,等. 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法. CN200910235336.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910235336.5.pdf（338KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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