| NPN异质结双极型晶体管激光器 | |
梁松 ; 朱洪亮; 王圩
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种NPN异质结双极型晶体管激光器，包括衬底(1)、缓冲层(2)、下包层(3)、亚集电极层(4)、集电极层(5)、基极层(6)、量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上包层(9)和接触层(10)。其中量子阱有源区层位于所述基极层与发射极层之间，一方面减少了基极层中掺杂杂质Zn向有源区层的扩散，另一方面也减少了基极层中掺杂杂质Zn向发射区层的扩散，有助于同时提高器件的光学和电学性能。由发射极注入的电子一部分在量子阱有源区层中辐射复合发光，另一部分被集电极层收集，形成集电极电流。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN200810240353.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200810240353.3 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22287 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 梁松,朱洪亮,王圩. NPN异质结双极型晶体管激光器. CN200810240353.3. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200810240353.3.pdf（331KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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