| 硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法 |
| 石明吉; 曾湘波; 王占国; 刘石勇; 彭文博; 肖海波; 张长沙
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明一种硅基薄膜叠层电池隧道结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在不锈钢衬底上，利用等离子体辅助化学气相沉积技术在反应室中依次生长P型层、复合层和N型层，形成隧道结；步骤2：将隧道结在反应室内降至室温，取出；步骤3：用磁控溅射的方法，在隧道结的N型层上生长ITO透明电极。与传统隧道结相比，新型隧道结的整流特性小、电阻小、更加接近欧姆接触。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN200910078560.8
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910078560.8
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22283
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
石明吉,曾湘波,王占国,等. 硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法. CN200910078560.8.
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