| 一种制作黑硅材料的方法 |
| 朱洪亮; 梁松; 韩培德; 林学春; 王宝华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种利用波长为1064nm和532nm两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的波长为1064nm和532nm的两种激光器光源，先后扫描辐照硅片表面，形成包含硅微锥、硅微粒和硅微洞的微结构黑硅材料。本发明将长波光源作用深度深、短波光源作用深度浅的特点同时融入黑硅材料的制作中，拓展了硫系掺杂物和硅微锥、微粒和微洞在表面层的范围，所以能够更充分地吸收入射光，将全太阳光谱的吸收系数提高到90％以上。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN200910078865.9
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910078865.9
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22279
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
朱洪亮,梁松,韩培德,等. 一种制作黑硅材料的方法. CN200910078865.9.
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