| 一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 | |
应杰; 张兴旺 ; 范亚明
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜，主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜；对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。本发明提供的这种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，过程简单、成本低，容易精确控制掺杂元素浓度，还具有使杂质原子均匀分布在薄膜内的优点。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN200910237087.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910237087.3 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22245 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 应杰,张兴旺,范亚明. 一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法. CN200910237087.3. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910237087.3.pdf（471KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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