| 集成热敏电阻的金刚石热沉 |
| 张全德; 刘峰奇; 王利军; 张伟; 刘万峰; 陆全勇; 刘俊岐; 李路 ; 王占国
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2011-08-31
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 一种集成热敏电阻的金刚石热沉，包括：一衬底；一第一Ti薄膜，该第一Ti薄膜制作在衬底上的一侧，该第一Ti薄膜为一弯折条形结构；一Au薄膜，该Au薄膜制作在第一Ti薄膜上，形状与第一Ti薄膜相同，该Au薄膜分为第一热敏电阻引线区、第二热敏电阻引线区和热敏电阻区；一第二Ti薄膜，该第二Ti薄膜制作在衬底上的另一侧；一器件烧结区，该器件烧结区制作在第二Ti薄膜上。解决了以往热敏元件与器件集成制作过程中设计和工艺复杂、成本昂贵等问题。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
|
| 专利号 | CN201010034103.1
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN201010034103.1
|
| 专利代理人 | 汤保平
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22229
|
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
张全德,刘峰奇,王利军,等. 集成热敏电阻的金刚石热沉. CN201010034103.1.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论