| 单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法 | |
唐爱伟 ; 曲胜春; 王占国
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法，包括如下步骤：步骤1：以金属有机铜化合物作为铜原料，脂肪族硫醇作为硫原料；步骤2：将铜原料和硫原料加入到高沸点溶剂中，搅拌均匀，进行加热反应，得到反应液；步骤3：将反应液冷却至室温；步骤4：向反应液中加入沉淀剂，有灰色或黑色沉淀析出；步骤5：向析出的沉淀中加入溶剂，使沉淀溶解，得到溶液；步骤6：向溶解后的溶液中加入沉淀剂，进行陈化，离心；步骤7：在真空中进行干燥，得到硫化亚铜半导体纳米晶。 |
| metadata_83 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Patent Number | CN201010121621.7 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010121621.7 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22219 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 唐爱伟,曲胜春,王占国. 单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法. CN201010121621.7. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010121621.7.pdf（359KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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