| 量子级联探测器结构 |
| 孔宁; 刘俊岐; 李路 ; 刘峰奇; 王利军; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种量子级联探测器结构，包括：一衬底；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底上，该下欧姆接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一势垒隔离层，该势垒隔离层制作在下欧姆接触层上的中间部位，使下欧姆接触层的四周形成台面，该势垒隔离层不掺杂；一多周期的有源区结构层，该多周期的有源区结构层制作在势垒隔离层上，该多周期的有源区结构层是实现探测器的探测光电流的核心部位；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在多周期的有源区结构层上，该上欧姆接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极，该上电极制作在上欧姆接触层上；一下电极，该下电极做在下欧姆接触层四周的台面上。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN201010191861.4
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010191861.4
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22193
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
孔宁,刘俊岐,李路,等. 量子级联探测器结构. CN201010191861.4.
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