| InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构 |
| 孔金霞; 徐波; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构，包括：一衬底；一下包覆层制作在衬底上；一下波导层制作在下包覆层上，作为载流子限制层，提高电子-空穴复合效率，提高激光器的工作温度；一1-20周期的匹配或张应变结构层制作在下波导层上，作为激光器的有源区，是激光器的核心部位；一上波导层制作在1-20周期的匹配或张应变结构层上，作为载流子限制层，将载流子限制在有源区，进而提高电子-空穴复合效率，提高激光器工作温度；一上包覆层制作在上波导层上；一欧姆接触层制作在上包覆层上，其晶格常数与衬底匹配；一上电极制作在欧姆接触层上，为有源区提供空穴；一下电极制作在减薄后的衬底上，为有源区提供电子。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN201010591575.7
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010591575.7
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22175
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
孔金霞,徐波,王占国. InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构. CN201010591575.7.
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