| 减少激光剥离损伤的方法; 减少激光剥离损伤的方法 | |
| 段瑞飞; 王良臣; 刘志强; 季安; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种减少激光剥离损伤的方法，包括如下步骤：步骤1：将外延片置于一底板上；步骤2：将底板加热，该底板加热，是电阻加热、射频加热或外部光源加热，该底板加热的温度范围在100-600℃；步骤3：利用激光剥离设备的激光扫描，对外延片进行剥离，该外延片种类包括：光电子外延材料、微电子外延材料或厚膜外延材料。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN200910087351.X |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910087351.X |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22167 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 段瑞飞,王良臣,刘志强,等. 减少激光剥离损伤的方法, 减少激光剥离损伤的方法. CN200910087351.X. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910087351.X.pdf（259KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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