| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法; 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 | |
| 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中激活效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的金属钛，然后在N2气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的金属钛。利用本发明，使镁在III-V族氮化物中的激活效率大大的提高，增加了p型III-V族氮化物中空穴的浓度。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN200910241699.X |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910241699.X |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22161 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 纪攀峰,李京波,闫建昌,等. 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法, 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法. CN200910241699.X. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910241699.X.pdf（495KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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