| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 | |
丁凯 ; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其步骤包括：步骤1：选取一个衬底；步骤2：在衬底上生长低温成核层，利于成核；步骤3：在低温成核层上生长低温缓冲层，可以减少位错密度，提高晶体质量；步骤4：在低温缓冲层上生长极性宽禁带半导体化合物，完成p型金属极性宽禁带半导体的制备。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN201010128387.0 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010128387.0 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22151 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 丁凯,张连,王军喜,等. 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法. CN201010128387.0. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010128387.0.pdf（337KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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