| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 | |
| 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓层为高结晶质量氮化镓层，完成生长制备。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN201010145087.3 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010145087.3 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22149 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王兵,李志聪,王国宏,等. 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法. CN201010145087.3. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010145087.3.pdf（260KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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