| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 | |
孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，包括：步骤1：准备并清洗衬底；步骤2：对该衬底进行前烘，然后涂敷光刻胶；步骤3：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该衬底上形成一层纳米尺寸胶点；步骤4：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该衬底；步骤5：湿法去除光刻胶并清洗，完成纳米级图形衬底的制备。本发明提供的这种适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法，具有易操作、低成本、低污染等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN201010263069.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010263069.5 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22127 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙莉莉,闫建昌,王军喜,等. 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法. CN201010263069.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010263069.5.pdf（255KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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