栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 | |
刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种栅极调制垂直结构GaN基发光二极管结构,包括:一导电衬底;一p型GaN层,该p型GaN层制作在导电衬底上;一多量子阱有源层,该多量子阱有源层制作在p型GaN层上;一n型GaN层,该n型GaN层制作在多量子阱有源层上;一N电极,该N电极制作在n型GaN层上面的中间;一栅极绝缘层,该栅极绝缘层制作在n型GaN层上没有N电极的部分,并围绕N电极;一栅电极,制作在栅极绝缘层上。 |
metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
Patent Number | CN201010534772.5 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010534772.5 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22119 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘志强,郭恩卿,伊晓燕,等. 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法. CN201010534772.5. |
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