| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 | |
| 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种栅极调制垂直结构GaN基发光二极管结构，包括：一导电衬底；一p型GaN层，该p型GaN层制作在导电衬底上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在p型GaN层上；一n型GaN层，该n型GaN层制作在多量子阱有源层上；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的中间；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在n型GaN层上没有N电极的部分，并围绕N电极；一栅电极，制作在栅极绝缘层上。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN201010534772.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010534772.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22119 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘志强,郭恩卿,伊晓燕,等. 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法. CN201010534772.5. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010534772.5.pdf（311KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment