| 带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构 | |
| 熊聪; 王俊; 崇锋; 刘素平; 马骁宇 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其中包括：一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一第一N型下限制层，该第一N型下限制层制作在缓冲层上；一倒V型耦合光波导层，该倒V型耦合光波导层制作在第一N型下限制层上；一第二N型下限制层，该第二N型下限制层制作在倒V型耦合光波导层上；一下波导层，该下波导层制作在第二N型下限制层上；一有源区，该有源区制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在有源区上；一P型上限制层，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上。 |
| metadata_83 | 光电子器件国家工程中心 |
| Patent Number | CN200910080070.1 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910080070.1 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22113 |
| Collection | 光电子器件国家工程中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 熊聪,王俊,崇锋,等. 带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构. CN200910080070.1. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910080070.1.pdf（391KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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