| 一种硅基光电器件集成方法 |
| 李运涛; 俞育德; 余金中
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2011-08-30
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 本发明公开了一种硅基光电器件集成方法,该方法包括:在硅衬底上制备电子学器件;在已经制备硅电子学器件的硅衬底上制备二氧化硅层;在二氧化硅层上制备多晶硅;在多晶硅上制备硅光子学器件;刻蚀过孔,淀积金属实现电学互连。本发明提供的硅基光电器件集成方法所采用的工艺均为微电子标准工艺,易于实现,合格率高,且集成度高,单片集成,易于封装,尤其适合于高速电子学器件与光学器件集成芯片的制备。 |
部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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专利号 | CN200910091402.6
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN200910091402.6
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专利代理人 | 周国城
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22037
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专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
李运涛,俞育德,余金中. 一种硅基光电器件集成方法. CN200910091402.6.
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