SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
在硅平台上实现AWG与LD倒装集成的方法
李俊一; 安俊明; 吴远大; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种在硅平台上实现二氧化硅阵列波导光栅与激光器倒装集成的方法,包括如下步骤:步骤1:在硅片上制作对准标记和水平定位;步骤2:在硅片上制作出高度定位、凹槽和电极槽;步骤3:在电极槽中依次制作二氧化硅薄膜和Cr-Ni-Au电极;步骤4:在硅片上制作出AWG的倒装对准标记;步骤5:在倒装焊平台上将AWG倒装粘在硅平台上;步骤6:将LD根据定位标记倒装焊在硅平台上。利用本发明提供的这种在硅平台上实现AWG与LD倒装集成的方法,实现了LD和AWG的无源对准耦合,并且本发明具有制作工艺简单,可规模化生产、成本低等特点。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN200910237098.1
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910237098.1
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22019
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李俊一,安俊明,吴远大,等. 在硅平台上实现AWG与LD倒装集成的方法. CN200910237098.1.
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