SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
一种多波长可调谐环形激光器阵列芯片结构
祝宁华; 满江伟; 刘建国; 陈伟
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种多波长可调谐环形激光器阵列芯片结构,该结构是利用不同腔长的环形有源波导和不同波长的反射光栅集成而成的,包括:至少三个环形激光器,该环形激光器分别包括一环形波导谐振腔和一反射型波导光栅,其中该反射型波导光栅通过一第一双向输出耦合波导与该环形波导谐振腔相连接;以及一激光输出波导,该激光输出波导分别通过一第二双向输出耦合波导与多个环形波导谐振腔相连接。本发明提供的多波长可调谐环形激光器阵列芯片结构,可同时提供多波长的激光输出,并且输出各波长可调谐。该多波长可调谐环形激光器阵列芯片输出波长的控制变量少,且波长调谐过程不受热负荷的影响,克服了通常DBR激光器的局限性。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN201010141000.5
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010141000.5
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21945
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
祝宁华,满江伟,刘建国,等. 一种多波长可调谐环形激光器阵列芯片结构. CN201010141000.5.
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