| 一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法 | |
韩培德
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法，包括：步骤1：在弱n型Si衬底表面制绒，形成绒面；步骤2：在该绒面上制备具有杂质深能级的n型Si层；步骤3：在具有杂质深能级的n型Si层上覆盖p型半导体薄膜，与n型Si层形成pn结；步骤4：对形成pn结的掺杂Si片进行高温退火处理，以激活杂质；步骤5：在p型半导体薄膜上制备p电极，在n型Si层上制备第一n电极，在弱n型Si衬底下表面制备第二n电极。利用本发明，以实现Si对红外光的更多吸收；以实现对电池内建电场的调节，使其覆盖具有杂质深能级的n型Si层，从而分离该区域的光生电子—空穴对；以实现在杂质深能级上光生载流子的输出问题。从而提高了电池整体的光伏效率。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010183447.9 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010183447.9 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21925 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 韩培德. 一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法. CN201010183447.9. |
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| CN201010183447.9.pdf（517KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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