| 具有纳米结构插入层的GaN基LED |
| 朱继红; 张书明 ; 朱建军
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中包括：一衬底；一纳米结构模板，该纳米结构模板外延生长在衬底上，该纳米结构模板的表面为凹凸形状；一插入层，该插入层外延生长在纳米结构模板的表面上；一N型欧姆接触层，该欧姆接触层外延生长在插入层上，该欧姆接触层上面的一侧形成有一台面；一有源层，该有源层外延生长在N型欧姆接触层的台面的另一侧上；一P型层，P型层外延生长在有源层上；一透明电极层，该透明电极层制作在P型层上；一P压焊电极，该压焊电极通过光刻制作在透明电极上；一N欧姆接触电极，该欧姆接触电极22制作在N型欧姆接触层的台面上。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN201010183393.6
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010183393.6
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21923
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
朱继红,张书明,朱建军. 具有纳米结构插入层的GaN基LED. CN201010183393.6.
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