| 一种双结太阳电池及其制备方法 | |
韩培德
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种双结太阳电池及其制备方法。该双结太阳电池包括：第一导电类型衬底；在该第一导电类型衬底的迎光面上依序形成的迎光面第二导电类型层和介质钝化层，且介质钝化层表面为绒面；在该第一导电类型衬底的背光面上交替形成的背光面第二导电类型区和背光面第一导电类型区；在该迎光面第二导电类型层上形成的第一电极；在该背光面第二导电类型区上形成的第二电极；在该背光面第一导电类型区上形成的第三电极；以及在该第二电极和该第三电极之间形成的背光面绝缘介质层。利用本发明，避免了充分光吸收与少子扩散距离有限的矛盾，避免了背结电池中光吸收区与载流子收集区不一致的矛盾，从而提高电池效率。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010531394.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010531394.5 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21887 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 韩培德. 一种双结太阳电池及其制备方法. CN201010531394.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010531394.5.pdf（1011KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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