SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法
谈笑天; 郑厚植
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明涉及半导体器件技术领域,公开了一种调制掺杂增强型高电子迁移率晶体管结构,该增强型高电子迁移率晶体管结构由下至上依次包括:衬底、GaAs/AlAs超晶格层、GaAs量子阱层、Al0.3Ga0.7As层、AlxGa1-xAs层(x线性从0.3减至0.1)、Al0.1Ga0.9As层、GaAs层、源漏电极以及栅电极。本发明还公开了一种增强型高电子迁移率晶体管的制作方法。利用本发明,降低了HEMT器件的功耗,简化了制作工艺,降低了制作成本。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
专利号CN200810240933.2
语种中文
专利状态公开
申请号CN200810240933.2
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21877
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
谈笑天,郑厚植. 一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法. CN200810240933.2.
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