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具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器 | |
孙晓明; 郑厚植; 章昊 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器,包括:一砷化镓衬底;一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上;一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上;一有源区生长在腔体下砷化镓层上,包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层;一腔体中砷化镓层生长在有源区上;一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上,包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层,其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As,铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs,沿着生长方向,X由0.45渐变至0;一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上;一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上,包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。 |
metadata_83 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
Patent Number | CN200910237780.0 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200910237780.0 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21857 |
Collection | 半导体超晶格国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 孙晓明,郑厚植,章昊. 具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器. CN200910237780.0. |
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