Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器 | |
| 孙晓明; 郑厚植; 章昊 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区上；一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。 |
| metadata_83 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| Patent Number | CN200910237780.0 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910237780.0 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21857 |
| Collection | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙晓明,郑厚植,章昊. 具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器. CN200910237780.0. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910237780.0.pdf（388KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment