| 全耗尽SOI器件及电路辐射加固技术研究 | |
| 李振涛 | |
| Subtype | 硕士 |
| Thesis Advisor | 于芳 |
| 2011 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子学与固体电子 学 |
| Subject Area | 微电子学 |
| Date Available | 2011-06-02 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20732 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李振涛. 全耗尽SOI器件及电路辐射加固技术研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011. |
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| 全耗尽SOI器件及电路辐射加固技术研究.（1717KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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