SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
应用微波光子晶体的共面波导结构
张 昀; 哈森其其格; 任 民; 鞠 昱; 陈 伟; 谢 亮; 祝宁华
2010-08-12
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2009-12-23 ; 2010-08-12
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种应用微波光子晶体的共面波导结构,该结构包括:用于高频传输的一电介质层(3);用于限制电磁波的一光子晶体地平面(2),该光子晶体地平面(2)由多个微波光子晶体单元结构(1)连接构成,位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合;用于传播电磁波的一中心导体(4),该中心导体(4)是一根L型50欧姆铜导线,在导线中间位置发生90度弯折,位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合。本发明提供的这种应用微波光子晶体的共面波导结构,有效的减少了信号的泄漏,简化了制备工艺,使其更适合于单片微波集成,并能提高实共面波导的传输系数。
Application Date2008-06-18
Language中文
Status实质审查的生效
Application NumberCN200810115161.X
Patent Agent周国城:中科专利商标代理有限责任公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13446
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张 昀,哈森其其格,任 民,等. 应用微波光子晶体的共面波导结构[P]. 2010-08-12.
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