Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 氮化镓基多波段探测器及其制作方法 | |
刘文宝; 孙 苋; 赵德刚 ; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉
| |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-01-13 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种氮化镓基多波段探测器，包括:一衬底;一短波段探测单元，包括:一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处;一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上;一中波段探测单元，包括:一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处;一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上;一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上;一长波段探测单元，包括:一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处;一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上;一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上;一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。 |
| 申请日期 | 2008-07-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810116416.4 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13428 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文宝,孙 苋,赵德刚,等. 氮化镓基多波段探测器及其制作方法[P]. 2010-08-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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