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| 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 | |
刘文宝; 孙 苋; 赵德刚 ; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 杨 辉
| |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-01-13 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层;步骤2:将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的III族氮化物在紫外光辅助下发生氧化，生成金属氧化物;步骤3:去除掩蔽层;步骤4:将曝光后的III族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中，将生成的金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀III族氮化物的工艺。 |
| 申请日期 | 2008-07-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810116414.5 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13416 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文宝,孙 苋,赵德刚,等. 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法[P]. 2010-08-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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