能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构
李林森; 关 敏; 曹国华; 曾一平; 李晋闽
2010-08-12
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2010-01-20 ; 2010-08-12
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构,由以下部分组成:一N型层;一本征层,该本征层生长在N型层上;一P型层,该P型层生长在本征层上;一有机空穴注入层,该有机空穴注入层生长在P型层上;一有机空穴传输层,该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层上;一有机发光层,该有机发光层生长在有机空穴传输层上;一阴极,该阴极生长在有机电子传输层上的一侧;一N型欧姆接触层,该欧姆接触层蒸发在N型层背面的一侧;上述器件能够在外界偏压下将无机红外光探测结构探测到的低频红外光转换成由有机发光二极管发射的可见光。
申请日期2008-07-16
语种中文
专利状态实质审查的生效
申请号CN200810116740.6
专利代理人汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13410
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
李林森,关 敏,曹国华,等. 能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构[P]. 2010-08-12.
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