Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 低温晶片键合的方法 | |
| 彭红玲; 陈良惠; 郑婉华; 石 岩; 渠红伟; 杨国华; 何国荣 | |
| 2010-08-12 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2010-03-24 ; 2010-08-12 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底;步骤2:再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理;步骤3:将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气;步骤4:对键合后的晶片进行减薄;步骤5:再对减薄后的晶片进行第二次热处理;步骤6:最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。 |
| Application Date | 2008-09-17 |
| Language | 中文 |
| Status | 实质审查的生效 |
| Application Number | CN200810222336.7 |
| Patent Agent | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13352 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 彭红玲,陈良惠,郑婉华,等. 低温晶片键合的方法[P]. 2010-08-12. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 3542.pdf（538KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment