Fabrication of low cost Si-based tunable high performance resonant cavity enhanced photodetectors

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Fabrication of low cost Si-based tunable high performance resonant cavity enhanced photodetectors
	Mao RW; Li CB; Zuo YH; Cheng BW; Teng XG; Luo LP; Yu JZ; Wang QM; Mao, RW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Joint Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
	2004
会议名称	1st IEEE International Conference on Group IV Photonics
会议录名称	2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS
页码	104-106
会议日期	SEP 29-OCT 01, 2004
会议地点	Hong Kong, PEOPLES R CHINA
出版地	345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者	IEEE
ISBN	0-7803-8474-1
部门归属	chinese acad sci, inst semicond, state key joint lab integrated optoelect, beijing 100083, peoples r china
摘要	Low cost Si-based tunable InGaAs RCE photodetectors operating at 1.3similar to1.6 mum were fabricated using sol-gel bonding. A tuning range of 14.5 nm, a quantum efficiency of 44% at 1476 nm and a 3-dB bandwidth of 1.8 GHz were obtained.
关键词	Quantum-efficiency
学科领域	光电子学
主办者	IEEE.
收录类别	其他
语种	英语
文献类型	会议论文
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/10060
专题	中国科学院半导体研究所（2009年前）
通讯作者	Mao, RW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Joint Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Mao RW,Li CB,Zuo YH,et al. Fabrication of low cost Si-based tunable high performance resonant cavity enhanced photodetectors[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2004:104-106.

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