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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈贵锋;  谭小动;  万尾甜;  沈俊;  郝秋艳;  唐成春;  朱建军;  刘宗顺;  赵德刚;  张书明
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一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  卢国军;  朱建军;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  杨辉
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一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226677.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  王辉;  朱建军;  张书明;  杨辉
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氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  刘文宝;  孙苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  王辉;  杨辉
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利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084158.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  季莲;  张书明;  刘宗顺;  杨辉
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基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  张爽;  赵德刚;  刘文宝;  孙苋;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  王辉;  段俐宏;  杨辉
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GaN基光电子器件表面粗化的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237781.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  王辉;  朱建军;  张书明;  杨辉
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氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241546.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  季莲;  张书明;  刘宗顺;  杨辉
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具有纳米结构插入层的GaN基LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183393.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  朱继红;  张书明;  朱建军
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一种InGaN半导体光电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263078.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  王辉;  朱建军;  张书明;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓懿;  赵德刚;  吴亮亮;  刘宗顺;  朱建军;  江德生;  张书明;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘文宝;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  朱建军;  张书明;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Y;  Zhao DG;  Le LC;  Jiang DS;  Wu LL;  Zhu JJ;  Wang H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Y;  Zhao DG;  Wu LL;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Zhang SM;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Cho YH;  Dai ZH;  Wang WT;  Wang H;  Wang LL;  Zhang SM;  Yang H;  Sun, YP, Yantai Univ, Inst Sci & Technol Optoelect Informat, Yantai 264005, Peoples R China. ypsun@ytu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu JH;  Wang LJ;  Zhang SM;  Wang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Jiang DS;  Yang H;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu JH;  Zhang SM;  Wang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Jiang DS;  Qiu YX;  Yang H;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. smzhang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(1688Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1653/448  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Wang;  H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LJ;  Zhang SM;  Zhu JH;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Jiang DS;  Wang YT;  Yang H;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: smzhang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(699Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1451/361  |  提交时间：2010/04/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Wang H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Wang YT;  Jia QJ;  Yang H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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